收藏本站
MCH6331
--3.0
ID -- VDS
--3.
5
V
--4
VDS= --10 V
ID -- VGS
--2.5
--3
--2.0
--1.5
--2
--3.0V
--1.0
--1
--0.5
0
VGS= --2.5V
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13185
°
Ta=25∞C
300
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13186
250
250
VGS
--0.7
0V, D
5V, I D
= --4
VGS
= --1.5
10.0V, D
200
150
100
ID= --0.75A
- -1.5A
200
150
100
=
V GS=
--4.
--
I =
I
.
5A
A
= --0
.75
A
50
0
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
| y fs | -- ID
IT13187
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13188
VGS=0V
3
3
2
--1.0
-25
=-
° C
2
1.0
Ta
° C
75
7
5
3
2
--0.1
° C
7
5
3
2
0.1
25
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(o ff )
IT13189
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT13190
f=1MHz
2
tf
2
100
10
7
5
tr
td(on)
7
5
3
Coss
Crss
2
3
2
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT13191
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13192
No. A1017-3/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MCH6336-TL-H MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
MCH6337-TL-H MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6
MCH6341-TL-E MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
MCH6341-TL-H MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
MCH6344-TL-H MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
MCH6421-TL-E MOSFET N-CH 5.5A 20V MCPH6
MCH6431-TL-H MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
MCH6436-TL-E MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
相关代理商/技术参数
MCH6331-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6336 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6336-P-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6336-S-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6336-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6336-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MCH6337 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
MCH6337_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications